[发明专利]金属薄膜结构、阻变式存储器及阻变式存储器的制作方法

权利要求书

1.一种金属薄膜结构，其特征在于，包括电介质层和金属薄膜层；其中，

在所述电介质层上开设有镂空式的沟道，在所述沟道内填充有金属薄膜，所述金属薄膜的上表面通过CMP工艺实现光滑以形成所述金属薄膜层；并且，

所述金属薄膜层的上表面与所述电介质层的上表面齐平。

2.如权利要求1所述的金属薄膜结构，其特征在于，

所述金属薄膜层为W膜层。

3.如权利要求2所述的金属薄膜结构，其特征在于，

所述沟道为圆柱形的内腔结构。

4.一种阻变式存储器，包括底部电极金属层，其特征在于，在所述底部电极金属层上设置有如权利要求3所述的金属薄膜结构，在所述金属薄膜结构上设置有阻变转换层，在所述阻变转换层上设置有顶部电极金属层；其中，

所述金属薄膜结构中的金属薄膜层的上、下表面分别与所述阻变转换层以及所述底部电极金属层相贴合。

5.一种如权利要求4所述的阻变式存储器的制作方法，包括：

在具有预设结构的底部电极金属层上填充所述电介质层；

在所述电介质层上开设具有预设结构的沟道；

在所述沟道内部和所述电介质层的上表面填充金属薄膜；

通过CMP工艺对所述金属薄膜进行研磨处理以形成所述金属薄膜层；

在所述金属薄膜层上沉积所述阻变转换层，并在所述阻变转换层上沉积所述顶部电极金属层。

6.如权利要求5所述的阻变式存储器的制作方法，其特征在于，在所述电介质层上开设具有预设结构的沟道的过程中，

通过蚀刻的方式在所述电介质层上蚀刻出具有预设结构的所述沟道。

7.如权利要求6所述的阻变式存储器的制作方法，其特征在于，通过CMP工艺对所述进行研磨处理以形成所述金属薄膜层的过程包括：

通过CMP工艺对所述金属薄膜的上表面进行水平研磨；

当感应到所述电介质层的研磨阻力信号时，停止CMP工艺的制程，以使所述金属薄膜的上表面光滑并与所述电介质层的上表面齐平，以形成所述金属薄膜层。

8.如权利要求7所述的阻变式存储器的制作方法，其特征在于，

在所述电介质层的上表面填充有预设厚度的所述金属薄膜；以使CMP工艺停止制程后，所述金属薄膜的上表面光滑。

9.如权利要求5至8中任意一项所述的阻变式存储器的制作方法，其特征在于，还包括：

通过调节所述电介质层的厚度以控制所述金属薄膜层的厚度。

10.如权利要求9所述的阻变式存储器的制作方法，其特征在于，还包括：通过调节所述沟道的孔径大小以控制所述金属薄膜层与所述阻变转换层的正对面积。