[发明专利]一种基于拓扑光子高Q腔的MEMS压力传感器

摘要

本发明涉及一种基于拓扑光子高Q腔的MEMS压力传感器，属于MEMS压力传感器技术领域。所述压力传感器为敏感元件，包含1个有序列光子晶体板的Si片梁；所述光子晶体板为正多边体且厚度范围为0.5um～0.6um，边长范围为20um～250um；所述光子晶体板上设有周期为519.25nm的圆孔阵列，圆孔半径为175nm；所述Si片梁工作时：激光器发出的光通过光环形器耦合到Si片梁上，环境压力的变化使Si片梁发生形变，从而影响信号光返回值，使光谱仪上光的波长值发生变化。所述传感器有效减少了平面外散射的影响，从而Q值很高，高达1×106，探测灵敏度也高达2.17×106pm/kPa；具有结构简单、体积小、成本低及利于量产的优势。