[发明专利]一种基于拓扑光子高Q腔的MEMS压力传感器

权利要求书

1.一种基于拓扑光子高Q腔的MEMS压力传感器，包括1个Si片梁，且该Si片梁与基台连接，其特征在于：所述基台材质为二氧化硅；其中，所述Si片梁为一有序列光子晶体板；所述光子晶体板上设有周期性圆孔阵列；

所述周期性圆孔阵列的周期为519.25nm，圆孔半径为175nm；

所述光子晶体板为正多边体且正多边体的厚度为0.5um；

正多边体的正多边形的边长为4且边长范围为20um～250um；

Si片梁为方片形且其约束为四边约束；

Si片梁的厚度Z与检测下限Y的关系为：

Y＝0.5625Z²-0.2457Z+0.0348；

且Z的单位为um，Y的单位为Pa；

Si片梁边长X与检测下限Y的关系为：Y＝816163X^-3.002；X的单位为um，检测下限Y的单位为Pa；

基台正中有一个长方体孔洞；方片形Si片梁水平嵌入长方体孔洞中；

所述基于拓扑光子高Q腔的MEMS压力传感器的连接及工作过程如下：

步骤1、将所述MEMS压力传感器的Si片梁约束于长方体基台里；

步骤2、将所述长方体基台的上方接入一根光纤；

步骤3、将所述光纤连接一个光环形器；

步骤4、将所述光环形器连接光谱仪；

步骤5、当被检测环境压力发生改变时，所述Si片梁发生形变；

步骤6、光谱仪上显示所述Si片梁发生形变对应的压力值；

至此，从步骤1到步骤6，完成了使用一种基于拓扑光子高Q腔的MEMS压力传感器测试压力连接及测试过程。