[发明专利]刻蚀设备在审
| 申请号： | 202110959659.X | 申请日： | 2021-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN113675114A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 王鑫国 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;F25B41/40;F25B39/00;F25B49/02 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 孙宝海;袁礼君 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提出一种刻蚀设备，刻蚀设备包含刻蚀机以及冷却系统；冷却系统包含蒸发器、抽气机构、冷凝器以及控制单元；蒸发器具有蒸发腔室，蒸发腔室内充注有制冷剂，并连通有出口和进口，刻蚀机连接有冷却管路，冷却管路内流通有刻蚀液，并邻设于蒸发腔室，蒸发器用以通过制冷剂与刻蚀液的热交换而使刻蚀液降温，制冷剂吸热后由液态蒸发为气态；抽气机构连接于蒸发腔室的出口，用以将气态的制冷剂输送至冷凝器；冷凝器分别连接于抽气机构与蒸发腔室的进口，用以将气态的制冷剂冷凝为液态，再将液态的制冷剂输送至蒸发腔室进行循环；控制单元分别连接并控制蒸发器、抽气机构和冷凝器。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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