[发明专利]一种三元共晶靶材及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110955085.9 申请日: 2021-08-19
公开(公告)号: CN113718216A 公开(公告)日: 2021-11-30
发明(设计)人: 涂溶;章嵩;李其仲;张联盟 申请(专利权)人: 中山市气相科技有限公司;中山市武汉理工大学先进工程技术研究院;化学与精细化工广东省实验室潮州分中心
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/32;C23C14/06;C04B35/563;C04B35/58;C04B35/653
代理公司: 中山市粤捷信知识产权代理事务所(普通合伙) 44583 代理人: 张谦
地址: 528400 广东省中山市火炬开发*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种三元共晶靶材及其制备方法,包括A组分、B组分和C组分粉末,A组分含量为30~50mol%,B组分含量为10~50mol%,C组分含量为20~40mol%,所述A组分为B4C粉末,B组分为TiB2、ZrB2、HfB2、TaB2或NbB2粉末,C组分为SiC粉末。本发明制备的共晶靶材具有更高的致密度,含有更多的元素种类,相分散更均匀,单个靶材就可以引入四种元素,能够减少多元涂层制备时所需工作靶位的数量,降低了镀膜的功耗以及镀膜装备的成本;本发明三元共晶靶材具有良好的导电导热性,可作为常用物理气相沉积技术的靶材使用;同时,靶材自身已具有高硬度、高韧性,使用本发明制备的靶材进行涂层制备时,无需额外加入氮气、乙炔等反应气体,即可使制备的涂层具备与靶材相同的优异性能。
搜索关键词: 一种 三元 共晶靶材 及其 制备 方法
【主权项】:
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