[发明专利]一种三元共晶靶材及其制备方法在审
| 申请号： | 202110955085.9 | 申请日： | 2021-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN113718216A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 涂溶;章嵩;李其仲;张联盟 | 申请（专利权）人： | 中山市气相科技有限公司;中山市武汉理工大学先进工程技术研究院;化学与精细化工广东省实验室潮州分中心 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/32;C23C14/06;C04B35/563;C04B35/58;C04B35/653 |
| 代理公司： | 中山市粤捷信知识产权代理事务所(普通合伙) 44583 | 代理人： | 张谦 |
| 地址： | 528400 广东省中山市火炬开发*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 三元 共晶靶材 及其 制备 方法 | ||
1.一种三元共晶靶材，其特征在于，包括A组分、B组分和C组分粉末，A组分含量为30～50mol％，B组分含量为10～50mol％，C组分含量为20～40mol％，三种组分含量之和为100％，所述A组分为B4C粉末，B组分为TiB2、ZrB2、HfB2、TaB2或NbB2粉末，C组分为SiC粉末。
2.一种三元共晶靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)称取A组分、B组分和C组分粉末，初始A组分含量为30～50mol％，B组分含量为10～50mol％，C组分含量为20～40mol％，三种组分含量之和为100％，该配比范围内的粉末组合经熔炼后的各相分散均匀；
2)通过球磨机将三种组分粉末均匀混合后压制成块状；
3)将成型的块体转移至电弧熔炼炉中，关闭腔体抽真空，运行电弧熔炼炉使原料快速熔化，熔炼一段时间后，熔体随铜板迅速冷却，翻转试样重复熔化冷却步骤3～5次，即得到组分均匀的三元共晶靶材；
其中，所述A组分为B4C粉末，B组分为TiB2、ZrB2、HfB2、TaB2或NbB2粉末，C组分为SiC粉末。
3.一种三元共晶靶材的制备方法，其特征在于：
所述A组分、B组分和C组分粉末原料纯度高于99.9wt.％以上，粒径为0.1～10μm。
4.根据权利要求2所述的一种三元共晶靶材的制备方法，其特征在于：
在步骤2)中，球磨机的球磨混料工艺采用聚乙烯球磨罐、氧化锆球磨介质，球磨时间为1～2h。
5.根据权利要求2所述的一种三元共晶靶材的制备方法，其特征在于：
在步骤3)中，所述电弧熔炼电流为40～150A，熔炼时间为15～60s。
6.根据权利要求2所述的一种三元共晶靶材的制备方法，其特征在于：
采用步骤1)至步骤3)所制备的三元共晶靶材微观结构为层片状结构。
7.根据权利要求2所述的一种三元共晶靶材的制备方法，其特征在于：
采用步骤1)至步骤3)所制备的三元共晶靶材应用于物理气相沉积的靶材。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山市气相科技有限公司;中山市武汉理工大学先进工程技术研究院;化学与精细化工广东省实验室潮州分中心，未经中山市气相科技有限公司;中山市武汉理工大学先进工程技术研究院;化学与精细化工广东省实验室潮州分中心许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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