[发明专利]碳化硅单晶体的制备方法有效
| 申请号： | 202110947038.X | 申请日： | 2021-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN113622030B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 付芬;张洁 | 申请（专利权）人： | 福建北电新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/02;C30B25/18 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 刘建荣 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及碳化硅单晶体的制备方法；本发明的碳化硅单晶体的制备方法包括提供硅衬底，硅衬底的尺寸为8‑12英寸；在硅衬底上外延生长一层碳化硅；将硅衬底剥离，以得到碳化硅外延层；用物理气相传输法对碳化硅外延层进行碳化硅单晶生长。本发明的碳化硅单晶体的制备方法便于制备出尺寸为8‑12英寸的碳化硅单晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 单晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
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