[发明专利]碳化硅单晶体的制备方法有效
| 申请号： | 202110947038.X | 申请日： | 2021-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN113622030B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 付芬;张洁 | 申请（专利权）人： | 福建北电新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/02;C30B25/18 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 刘建荣 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 单晶体 制备 方法 | ||
1.一种碳化硅单晶体的制备方法，其特征在于，包括：
提供硅衬底，所述硅衬底的尺寸为8-12英寸；
在所述硅衬底上外延生长一层碳化硅；
将所述硅衬底剥离，以得到碳化硅外延层，其中，将所述硅衬底剥离的方法为激光剥离法；
用物理气相传输法对所述碳化硅外延层进行碳化硅单晶生长。
2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶体的制备方法，其特征在于，采用化学气相传输法在所述硅衬底上外延生长一层所述碳化硅，所述化学气相传输法采用的气源为甲烷和硅烷。
3.根据权利要求1所述的碳化硅单晶体的制备方法，其特征在于，所述碳化硅外延层的厚度为100μm～1000μm。
4.根据权利要求1所述的碳化硅单晶体的制备方法，其特征在于，在温度为2000-2300℃的高温热场中用所述物理气相传输法对所述碳化硅外延层进行所述碳化硅单晶生长。
5.根据权利要求1所述的碳化硅单晶体的制备方法，其特征在于，在石墨坩埚中进行所述物理气相传输法。
6.根据权利要求5所述的碳化硅单晶体的制备方法，其特征在于，所述石墨坩埚包括的石墨坩埚盖、石墨坩埚桶和设置在石墨坩埚桶和石墨坩埚盖之间的导流筒，所述导流筒和所述石墨坩埚桶连通，所述石墨坩埚盖盖合在所述导流筒上；用所述石墨坩埚进行所述物理气相传输法的步骤包括，将所述碳化硅外延层设置于所述石墨坩埚盖，所述碳化硅外延层具有与所述硅衬底接触并剥离所述硅衬底后的第一面和背离所述第一面的第二面，所述碳化硅外延层的第二面朝向所述导流筒的内腔。
7.根据权利要求6所述的碳化硅单晶体的制备方法，其特征在于，所述导流筒为等径石墨筒。
8.根据权利要求1所述的碳化硅单晶体的制备方法，其特征在于，所述硅衬底的尺寸为8英寸。
9.根据权利要求1所述的碳化硅单晶体的制备方法，其特征在于，所述硅衬底的尺寸为12英寸。
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