[发明专利]改善填充膜均匀性的基座装置、溅射设备及溅射工艺有效
| 申请号： | 202110935312.1 | 申请日： | 2021-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN113388820B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 陈东伟;周云;宋维聪 | 申请（专利权）人： | 陛通半导体设备（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/50 | 分类号： | C23C14/50;C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 李艾 |
| 地址： | 215413 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及改善填充膜均匀性的基座装置、溅射设备及溅射工艺，包括固定底板、基台和倾斜组件，所述倾斜组件安装于所述固定底板上，所述倾斜组件连接所述基台外缘与所述固定底板，所述倾斜组件在所述基台周围设置有至少三组，所述倾斜组件调节所述基台的边缘与所述固定底板之间的距离以实现所述基台向四周均匀摇摆。溅射设备还包括靶材装置和磁吸组件。溅射工艺包括控制基台均匀摇摆。本发明通过令基台摇摆，使得从靶材装置上飞出的溅射粒子能够在基台上基片深孔的一周进行沉积，保证深孔填充的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 填充 均匀 基座 装置 溅射 设备 工艺 | ||
【主权项】：
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