[发明专利]改善填充膜均匀性的基座装置、溅射设备及溅射工艺

权利要求书

1.改善填充膜均匀性的基座装置，其特征在于：包括固定底板、基台和倾斜组件，所述倾斜组件安装于所述固定底板上，所述倾斜组件连接所述基台外缘与所述固定底板，所述倾斜组件在所述基台周围设置有至少三组，所述倾斜组件调节所述基台的边缘与所述固定底板之间的距离以实现所述基台向四周均匀摇摆，所述倾斜组件在所述基台周围均匀设置，以基台处于水平位置为0点，所述倾斜组件的运动方程为：

，

其中，A为倾斜组件上升的最高点高度，T为倾斜组件的运动周期，φ为倾斜组件之间的相位差。

2.根据权利要求1所述的改善填充膜均匀性的基座装置，其特征在于：所述倾斜组件包括丝杆本体、丝杆螺母和控制电机，所述控制电机安装于所述固定底板上，所述丝杆本体一端与所述基台外缘铰接，所述丝杆本体另一端通过所述丝杆螺母与所述控制电机相连。

3.根据权利要求2所述的改善填充膜均匀性的基座装置，其特征在于：所述丝杆本体一端连接所述基台下表面，所述丝杆另一端穿过所述固定底板，所述控制电机安装于所述固定底板背离所述基台的一侧面，所述控制电机转动连接所述丝杆螺母。

4.根据权利要求2所述的改善填充膜均匀性的基座装置，其特征在于：所述丝杆本体与所述基座相连的一端设置有球形连接头，所述球形连接头安装于U型连接座内。

5.根据权利要求1所述的改善填充膜均匀性的基座装置，其特征在于：所述基台下方连接有加热主轴，所述加热主轴穿过所述固定底板，所述加热主轴与所述固定底板之间设置有弹性密封圈。

6.根据权利要求5所述的改善填充膜均匀性的基座装置，其特征在于：所述加热主轴伸出所述固定底板的一端安装有连接板，所述倾斜组件连接所述连接板外缘与所述固定底板，所述倾斜组件调节所述连接板外缘与固定底板之间的距离实现所述加热主轴向四周均匀摇摆。

7.根据权利要求5所述的改善填充膜均匀性的基座装置，其特征在于：所述基台与所述固定底板之间的所述加热主轴外套设有弹性伸缩管。

8.根据权利要求1所述的改善填充膜均匀性的基座装置，其特征在于：所述基台摇摆的倾斜角度小于30°，所述基台的摇摆周期为0.5s-3s。

9.根据权利要求8所述的改善填充膜均匀性的基座装置，其特征在于：所述基台摇摆的倾斜角度为8°-12°，所述基台的摇摆周期为0.8s-1.2s。

10.改善填充膜均匀性的溅射设备，其特征在于：包括如权利要求1-9任一项所述的基座装置，以及外壳和靶材装置，所述靶材装置包括背板和靶材本体，所述背板、外壳和固定底座围成溅射腔体，所述靶材本体和基台在所述腔体内相对设置。

11.根据权利要求10所述的改善填充膜均匀性的溅射设备，其特征在于：所述靶材装置外侧设置有磁吸组件，所述磁吸组件包括驱动电机、磁吸支架和磁铁，所述磁铁安装在所述磁吸支架上，所述驱动电机驱动所述磁吸支架旋转。

12.改善填充膜均匀性的溅射工艺，其特征在于：采用如权利要求10-11任一项所述的溅射设备，包括如下步骤：

将基片固定在基台上；

对磁控溅射设备调温、抽真空；

向磁控溅射设备内通入反应气体；

开启磁控溅射设备电源，使基台向四周均匀摇摆，进行沉积；

沉积结束后关闭磁控溅射设备电源。

13.根据权利要求12所述的改善填充膜均匀性的溅射工艺，其特征在于：以基台处于水平位置为0点，控制基台均匀摇摆的倾斜组件的运动方程为：

，

其中，A为倾斜组件上升的最高点高度，T为倾斜组件的运动周期，φ为倾斜组件之间的相位差。