[发明专利]一种P型异质结全背电极接触晶硅光伏电池及其制备方法在审
申请号: | 202110918322.4 | 申请日: | 2021-08-11 |
公开(公告)号: | CN113690334A | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 赵华飞 | 申请(专利权)人: | 浙江中晶新能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0747 | 分类号: | H01L31/0747;H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/20 |
代理公司: | 杭州中利知识产权代理事务所(普通合伙) 33301 | 代理人: | 李光 |
地址: | 314300 浙江省嘉兴市海盐县西塘*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种P型异质结全背电极接触晶硅光伏电池,包括P型硅基体、遂穿超薄氧化层、非晶硅N+层、氮化硅钝化膜、局域硼背场、金属正电极和金属负电极,所述P型硅基体的正面设置为绒面,所述P型硅基体的背面设置有遂穿超薄氧化层,所述遂穿超薄氧化层上设置有磷掺杂退火的非晶硅N+层,所述非晶硅N+层的外侧设置有氮化硅钝化膜,所述P型硅基体的背面设置有局域硼背场,所述局域硼背场穿透氮化硅钝化膜连接有金属正电极,所述非晶硅N+层上连接有金属负电极。本发明能够降低金属接触复合电流,提升电池的开路电压和短路电流,具有良好的钝化特性,提高了转换效率,提升了有效发电面积,利于提升发电效率,外观上也更加美观。 | ||
搜索关键词: | 一种 型异质结全背 电极 接触 晶硅光伏 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的