[发明专利]一种P型异质结全背电极接触晶硅光伏电池及其制备方法

权利要求书

1.一种P型异质结全背电极接触晶硅光伏电池，其特征在于：包括P型硅基体(1)、遂穿超薄氧化层(2)、非晶硅N+层(3)、氮化硅钝化膜(4)、局域硼背场(5)、金属正电极(6)和金属负电极(7)，所述P型硅基体(1)的正面设置为绒面，所述P型硅基体(1)的背面设置有遂穿超薄氧化层(2)，所述遂穿超薄氧化层(2)上设置有磷掺杂退火的非晶硅N+层(3)，所述非晶硅N+层(3)的外侧设置有氮化硅钝化膜(4)，所述P型硅基体(1)的背面设置有局域硼背场(5)，所述局域硼背场(5)穿透氮化硅钝化膜(4)连接有金属正电极(6)，所述非晶硅N+层(3)上连接有金属负电极(7)。

2.如权利要求1所述的一种P型异质结全背电极接触晶硅光伏电池，其特征在于：所述P型硅基体(1)的正面设置为蜂窝状绒面。

3.如权利要求1所述的一种P型异质结全背电极接触晶硅光伏电池，其特征在于：所述P型硅基体(1)的正面依次设置有氧化硅钝化层(8)和氮氧化硅减反层(9)。

4.如权利要求1所述的一种P型异质结全背电极接触晶硅光伏电池，其特征在于：所述P型硅基体(1)为P型单晶硅或P型多晶硅，所述P型硅基体(1)的厚度为400-500微米。

5.一种P型异质结全背电极接触晶硅光伏电池的制备方法，其特征在于：，包括以下步骤：

步骤一：以P型硅基体(1)为衬底，采用金属催化化学刻蚀法湿法制绒处理在P型硅基体(1)的正面制备绒面，对P型硅基体(1)进行超声波清洗沥干水分；

步骤二：在步骤一处理后的P型硅基体(1)的正面依次沉积氧化硅钝化层(8)和氮氧化硅减反层(9)；

步骤三：在步骤二处理后的P型硅基体(1)的背面沉积隔离掩膜，采用激光蚀刻在隔离掩膜上蚀刻显露出局域硼背场(5)区域的P型硅基体(1)的背面，在蚀刻区域进行硼注入，激光烧蚀形成局域硼背场(5)，化学腐蚀清除所有的隔离掩膜；

步骤四：在步骤三处理后的P型硅基体(1)的背面生长遂穿超薄氧化层(2)；

步骤五：在步骤四处理后的P型硅基体(1)的遂穿超薄氧化层(2)上通过磷掺杂高温退火的方式形成非晶硅N+层(3)；

步骤六：在步骤五处理后的P型硅基体(1)的非晶硅N+层(3)上沉积氮化硅钝化膜(4)；

步骤七：在步骤六处理后的P型硅基体(1)的局域硼背场(5)对应区域蚀刻出局域硼背场(5)电极接入点，连接金属正电极(6)，在非晶硅N+层(3)上连接金属负电极(7)；

步骤八：在步骤七处理后的P型硅基体(1)表面进行浆料丝网印花，低温烧结后完成电池片的制备。