[发明专利]三维存储器及其制作方法

摘要

本发明涉及一种三维存储器及其制作方法，三维存储器包括：衬底；位于衬底上的堆叠结构，堆叠结构包括多个块区域；设于两个相邻块区域之间且垂直贯穿堆叠结构的第一分隔结构和第二分隔结构；第一分隔结构包括沿第一横向延伸的第一延伸部以及与第一延伸部连接的第一侧端部；第一侧端部包括至少一个连接部，连接部的一端连接于第一延伸部，另一端向远离第一延伸部且不平行于第一横向的方向延伸；第二分隔结构包括沿第一横向延伸的第二延伸部以及与第二延伸部连接的第二侧端部；第二侧端部与第一侧端部相对设置，至少一个连接部在衬底上的正投影与第二侧端部在衬底上的正投影重叠，从而避免两个分隔结构底部分开不连接，而导致底层栅极短路的问题。