[发明专利]三维存储器及其制作方法在审
| 申请号: | 202110914473.2 | 申请日: | 2021-08-10 |
| 公开(公告)号: | CN113594174A | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
| 发明(设计)人: | 赵利俊;吴振国;宋之洋 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L27/11582 | 分类号: | H01L27/11582;H01L27/1157 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 赵伟 |
| 地址: | 430205 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 三维 存储器 及其 制作方法 | ||
1.一种三维存储器,其特征在于,包括:
衬底;
位于所述衬底上的堆叠结构,所述堆叠结构包括多个块区域,所述块区域包括沿平行于所述衬底的第一横向分布的核心区、以及至少位于所述核心区一侧的台阶区;以及,
设于两个相邻所述块区域之间且垂直贯穿所述堆叠结构的第一分隔结构和第二分隔结构;
其中,所述第一分隔结构包括:沿所述第一横向延伸的第一延伸部,及与所述第一延伸部连接的第一侧端部;其中,所述第一侧端部包括至少一个连接部,所述连接部的一端连接于所述第一延伸部,另一端向远离所述第一延伸部且不平行于所述第一横向的方向延伸,
所述第二分隔结构包括:沿所述第一横向延伸的第二延伸部,及与所述第二延伸部连接的第二侧端部;其中,所述第二侧端部与所述第一侧端部相对设置,至少一个所述连接部在所述衬底上的正投影与所述第二侧端部在所述衬底上的正投影重叠。
2.根据权利要求1所述的三维存储器,其特征在于,所述第一侧端部包括至少两个所述连接部,各所述连接部远离所述第一延伸部的一端的延伸方向各不相同。
3.根据权利要求1所述的三维存储器,其特征在于,所述第一侧端部包括两个所述连接部,分别为第一连接部和第二连接部,其中,所述第一连接部远离所述第一延伸部的一端,和所述第二连接部远离所述第一延伸部的一端之间的距离,在远离所述第一延伸部的方向上逐渐增大。
4.根据权利要求3所述的三维存储器,其特征在于,所述第二侧端部包括两个侧壁,所述第一连接部在所述衬底上的正投影和所述第二连接部在所述衬底上的正投影,与两个所述侧壁在所述衬底上的正投影对应重叠。
5.根据权利要求3所述的三维存储器,其特征在于,所述第一连接部与所述第二连接部之间的夹角范围为90~120度。
6.根据权利要求4所述的三维存储器,其特征在于,所述第二侧端部还包括位于两个所述侧壁之间且朝向所述第一分隔结构的开口,所述第一侧端部与所述第一延伸部相连接的一端位于所述开口处。
7.根据权利要求6所述的三维存储器,其特征在于,所述第一侧端部与所述第一延伸部相连接的一端在第二横向上的宽度,大于所述开口远离所述第二延伸部的一端在所述第二横向上的宽度,其中所述第二横向与所述第一横向交叉。
8.根据权利要求6所述的三维存储器,其特征在于,所述开口的截面形状为V字形、U字形、梯形或圆弧形。
9.根据权利要求6所述的三维存储器,其特征在于,两个所述侧壁之间的夹角范围为0~180度。
10.根据权利要求9所述的三维存储器,其特征在于,两个所述侧壁在同一直线上。
11.根据权利要求1-10任一项所述的三维存储器,其特征在于,所述第一分隔结构位于两个相邻所述核心域之间,所述第二分隔结构位于两个相邻所述台阶区之间。
12.根据权利要求11所述的三维存储器,其特征在于,所述三维存储器还包括:
覆盖于所述台阶区上的介质层,所述第二分隔结构在所述第一横向贯穿所述介质层,且所述第二分隔结构的材质与所述介质层的材质相同。
13.根据权利要求11所述的三维存储器,其特征在于,所述第一分隔结构包括间隔层和共源极,所述间隔层用于电隔离所述共源极和所述堆叠结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





