[发明专利]基于22nm工艺的抗辐照FDSOI场效应管及其制备方法有效
| 申请号： | 202110907056.5 | 申请日： | 2021-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN113644115B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 刘红侠;范晓洋;王树龙;陈树鹏 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;陈媛 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于22nm工艺的抗辐照FDSOI场效应管及其制备方法，主要解决现有FDSOI场效应管抗辐照性能较差的问题，其结构有两个特征，一是在现有FDSOI场效应管的埋氧层(3)与单晶硅层(4)之间增设有氮化硅牺牲层(18)，以在辐照情况下在该牺牲层中产生负电荷抵消埋氧层中的正电荷，进而达到抑制阈值电压漂移的作用；二是对栅极(17)采用由两条水平金属栅与一条条形栅极构成的Z字型金属栅结构，以在辐照情况下将沟道和隔离槽隔离开，削弱辐照在槽隔离中产生的正电荷对泄露电流以及阈值电压的影响。本发明有效提高了FDSOI场效应管的抗辐照性能，可用于制作集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 22 nm 工艺 辐照 fdsoi 场效应 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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