[发明专利]一种单面抛光晶片背面打字、蚀刻工艺在审
申请号: | 202110902133.8 | 申请日: | 2021-08-06 |
公开(公告)号: | CN113628965A | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 古新远;赵波;刘宏伟;高伟 | 申请(专利权)人: | 保定通美晶体制造有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/306;H01L21/67 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 李兴林 |
地址: | 072650 河北省保定市定兴*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种单面抛光晶片背面打字、蚀刻工艺,具体包括以下步骤,步骤一、晶片的初次蚀刻,初次蚀刻量设定为总蚀刻量的二分之一;步骤二、晶片的打字作业,待加工的晶片送到打字工站,按照设计的打字标识进行打字作业;步骤三、晶片的二次蚀刻,打字结束的晶片重新送回研磨工站,进行第二次蚀刻,且第二次蚀刻量设定为总蚀刻量的二分之一。本发明构思巧妙,将研磨的蚀刻作业拆分为两步,消除打字后字沟边缘的隆起,有效的保证了单面抛光晶片蚀刻后背面的表面质量,光滑平整,对于下一步抛光作业时的吸附垫形成保护,有效提高生产效率,降低了维修投入成本,并降低了因返修导致的晶片厚度低于规格下限的风险。 | ||
搜索关键词: | 一种 单面 抛光 晶片 背面 打字 蚀刻 工艺 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于保定通美晶体制造有限责任公司,未经保定通美晶体制造有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110902133.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造