[发明专利]一种单面抛光晶片背面打字、蚀刻工艺

权利要求书

1.一种单面抛光晶片背面打字、蚀刻工艺，其特征在于：具体包括以下步骤，

步骤一、晶片的初次蚀刻，研磨工站将晶片研磨后送到蚀刻工位，将单面抛光晶片放置到蚀刻设备的工作台上，初次蚀刻量设定为总蚀刻量的二分之一；

步骤二、晶片的打字作业，待加工的晶片送到打字工站，在单面抛光晶片(1)的背面指定位置且按照设计的打字标识(2)进行打字作业；

步骤三、晶片的二次蚀刻，打字结束的晶片重新送回研磨工站，将单面抛光晶片放置到蚀刻设备的工作台上，进行第二次蚀刻，且第二次蚀刻量设定为总蚀刻量的二分之一。

2.根据权利要求1所述的单面抛光晶片背面打字、蚀刻工艺，其特征在于：步骤一和步骤三中，采用的蚀刻用药液的浓度、温度与原工艺相同，蚀刻时间缩短为原来的一半，两次蚀刻的总蚀刻量与原工艺一次蚀刻的蚀刻量相同。

3.根据权利要求2所述的单面抛光晶片背面打字、蚀刻工艺，其特征在于：所述蚀刻采用的药液为SC1药液,该药液的体积浓度为75％，蚀刻要求的温度范围为30～50℃，初次蚀刻和第二次蚀刻的时间为15±1s。

4.根据权利要求1所述的单面抛光晶片背面打字、蚀刻工艺，其特征在于：步骤二中，所述打字标识(2)的边缘会出现隆起，所述隆起在步骤三中第二次蚀刻处理过程中消除。