[发明专利]一种具有电场屏蔽结构的沟槽栅MOSFET器件有效
| 申请号： | 202110897827.7 | 申请日： | 2021-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN113345965B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 任娜;盛况 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 田金霞 |
| 地址： | 311200 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提出一种具有电场屏蔽结构的沟槽栅MOSFET器件，包含衬底、源极、漏极、栅极沟槽、电场屏蔽结构、源极区域和具有第一导电类型的半导体区域，一个或多个位于半导体区域表面下方的具有第二导电类型的电场屏蔽结构，与栅极沟槽的侧壁以一角度相交，源极区域位于栅极沟槽的两侧或周围，被电场屏蔽结构分割成多个源极子区域。本发明通过设置与栅极沟槽侧壁相交的一个或多个电场屏蔽结构，且通过合理布局电场屏蔽结构的排布方式，可以有效减小器件的元胞尺寸，提高沟道密度和器件导通电流密度，降低器件比导通电阻，提高器件导通性能，同时增强电场屏蔽效应，降低栅极氧化层中的电场强度，提高器件长期工作稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 电场 屏蔽 结构 沟槽 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
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