[发明专利]紫外半导体封装结构、封装器件及制备方法有效

专利信息
申请号: 202110895274.1 申请日: 2021-08-05
公开(公告)号: CN113675319B 公开(公告)日: 2023-03-28
发明(设计)人: 葛鹏;王维;孙雷蒙;杨丹 申请(专利权)人: 华引芯(武汉)科技有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/58;H01L33/60;H01L33/62
代理公司: 武汉江楚智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 42228 代理人: 邓寅杰
地址: 436000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种紫外半导体封装结构、封装器件及制备方法,紫外半导体封装结构包括:基板,包括相对设置的第一表面和第二表面,第一表面形成功能区;反光机构,围设于功能区;透光机构,设于反光机构远离第一表面一侧,以罩设于功能区远离第一表面的顶部;其中,透光机构的主体沿第一对称轴对称设置,紫外光线从透光机构的底面出射进入透光机构的第一曲面围设区域,通过第一曲面全反射后汇聚于透光机构的第三曲面围设区域,并通过透光机构顶部的第二曲面反射后发散,最后通过第三曲面扩光出射,使得紫外光线能够实现360°出光。通过以上方式,本发明提供一种高出光效率、高可靠性、广出光角度的紫外半导体封装结构。
搜索关键词: 紫外 半导体 封装 结构 器件 制备 方法
【主权项】:
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