[发明专利]一种深紫外发光二极管的结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种深紫外发光二极管的结构及其制备方法，该结构及方法旨在改善现今深紫外发光二极管的电激发光频谱特性，特别是降低频谱的半高宽，不仅提升光的纯度也提高了其发光效率，从而促进在杀菌及光疗的应用上的有效性。该发光二极管至少包括：衬底、位于所述衬底一侧表面的AlN层、位于所述AlN层表面的N型AlaGa1‑aN欧姆接触层、位于所述N型AlaGa1‑aN欧姆接触层表面的AlbGa1‑bN/AlN/AlcGa1‑cN介面平坦化多层结构、位于所述AlbGa1‑bN/AlN/AlcGa1‑cN介面平坦化多层结构表面的AlxGa1‑xN第一量子垒层、位于所述AlxGa1‑xN第一量子垒层表面的AlyGa1‑yN/AlxGa1‑xN多量子阱有源层、位于所述AlyGa1‑yN/AlxGa1‑xN多量子阱有源层表面的AlzGa1‑zN最后量子垒层、位于所述AlzGa1‑zN最后量子垒层表面的P型AldGa1‑dN电子阻挡层、位于所述P型AldGa1‑dN电子阻挡层表面的P型AleGa1‑eN欧姆接触层。