[发明专利]一种深紫外发光二极管的结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202110894455.2 | 申请日： | 2021-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN113594314B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 赖穆人;刘锐森;刘召忠;蓝文新;林辉;杨小利 | 申请（专利权）人： | 江西力特康光学有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 赣州智府晟泽知识产权代理事务所(普通合伙) 36128 | 代理人： | 杨金根 |
| 地址： | 341700 江西省赣州市龙南市龙南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 发光二极管 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种深紫外发光二极管的结构，其特征在于，该发光二极管至少包括：
衬底；
位于所述衬底一侧表面的AlN层；
位于所述AlN层表面的N型AlaGa1-aN欧姆接触层；
位于所述N型AlaGa1-aN欧姆接触层表面的AlbGa1-bN/AlN/AlcGa1-cN介面平坦化多层结构；
位于所述AlbGa1-bN/AlN/AlcGa1-cN介面平坦化多层结构表面的AlxGa1-xN第一量子垒层；
位于所述AlxGa1-xN第一量子垒层表面的AlyGa1-yN/AlxGa1-xN多量子阱有源层；
位于所述AlyGa1-yN/AlxGa1-xN多量子阱有源层表面的AlzGa1-zN最后量子垒层；
位于所述AlzGa1-zN最后量子垒层表面的P型AldGa1-dN电子阻挡层；
位于所述P型AldGa1-dN电子阻挡层表面的P型AleGa1-eN欧姆接触层。
2.根据权利要求1所述的一种深紫外发光二极管的结构，其特征在于，所述N型AlaGa1-aN欧姆接触层中，0.3＜a＜1；所述AlbGa1-bN/AlN/AlcGa1-cN介面平坦化多层结构中，0.3＜c≤b＜1，且b≤a；所述AlyGa1-yN/AlxGa1-xN多量子阱有源层中，0.4＜y＜x＜0.8，且x＜c；所述AlzGa1-zN最后量子垒层中，0.5＜z≤1。
3.根据权利要求1所述的一种深紫外发光二极管的结构，其特征在于，所述AlbGa1-bN/AlN/AlcGa1-cN介面平坦化多层结构中，AlbGa1-bN层的厚度为1～5nm，AlN层的厚度为1～2nm，AlcGa1-cN层的厚度为1～5nm。
4.根据权利要求3所述的一种深紫外发光二极管的结构，其特征在于，所述AlbGa1-bN/AlN/AlcGa1-cN介面平坦化多层结构中，AlbGa1-bN层的厚度为2.5～3.5nm，AlN层的厚度为1～1.5nm，AlcGa1-cN层的厚度为2.5～3.5nm。
5.根据权利要求1所述的一种深紫外发光二极管的结构，其特征在于，所述AlbGa1-bN/AlN/AlcGa1-cN介面平坦化多层结构中，AlbGa1-bN层、AlN层及AlcGa1-cN层均掺杂Si或Ge成为N型半导体层。
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