[发明专利]一种低温等离子体技术制备氟改性硅负极的方法

摘要

本发明公开了一种低温等离子体技术制备氟改性硅负极的方法，该方法包括以下步骤：制备硅负极，将硅材料、粘结剂、导电剂混合搅拌均匀，涂布在铜箔表面并烘干成硅极片，然后将所得硅极片放低温等离子设备中腔中，以一定气流速度通入四氟化碳气体，并调节低温等离子设备电压电流大小，处理一定时间后得到氟改性硅负极。本发明的制备方法简化了硅负极改性工艺过程，降低了加工成本，减少了环境污染，到达了节能减排的目的，具有工业化前景。该方法制备的氟改性硅负极具有较好的首圈库伦效率和循环稳定性，可满足动力电池的需求。