[发明专利]一种低温等离子体技术制备氟改性硅负极的方法在审
| 申请号： | 202110890641.9 | 申请日： | 2021-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN113659114A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 凌敏;甘露;梁成都 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01M4/1395 | 分类号： | H01M4/1395;H01M4/04;H01M4/134;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 万尾甜;韩介梅 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低温 等离子体 技术 制备 改性 负极 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低温等离子体技术制备氟改性硅负极的方法，其特征在于，步骤如下：
将硅材料、粘结剂、导电剂混合搅拌均匀，涂布在铜箔表面并烘干成硅极片，然后将所得硅极片放在低温等离子设备中，以1-200ml/min的气流速度向低温等离子设备中通入含四氟化碳的气体，直至空气排尽且含四氟化碳的气体充满低温等离子设备；
打开低温等离子体设备开关，调节设备的电压电流大小，电压为10-150V，电流为0.3-1A，频率为3-20kHZ；
设置好参数后开始处理，处理时间为1s-10min，此时气流泛紫红光，被激发的等离子开始轰击硅极片并发生掺杂作用，得到氟改性硅负极。
2.一种氟改性硅负极，其特征在于，采用如权利要求1所述的方法制备得到。
3.一种电池，其特征在于：包括权利要求2所述的氟改性硅负极。
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