[发明专利]一种AlInGaN紫外发光器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110877905.7 | 申请日： | 2021-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN113328016B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 黄小辉 | 申请（专利权）人： | 至芯半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 杜阳阳 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市钱塘新*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及了一种AlInGaN紫外发光器件及其制备方法，紫外发光器件的缓冲层设置为非掺杂AlInGaN半导体层组，其结构包括：至少两个非掺杂AlInGaN半导体层，每两个相邻的非掺杂AlInGaN半导体层之间设置有非掺杂AlInGaN半导体翘曲调节层，非掺杂AlInGaN半导体翘曲调节层的晶格常数大于非掺杂AlInGaN半导体层。本发明通过在非掺杂AlInGaN半导体层或N型掺杂AlInGaN半导体层中设置AlInGaN半导体翘曲调节层，降低器件加工过程中的翘曲度，提高了紫外发光器件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 alingan 紫外 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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