[发明专利]一种AlInGaN紫外发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种AlInGaN紫外发光器件，其特征在于，所述紫外发光器件由下至上依次包括：衬底层、非掺杂AlInGaN半导体层组、N型掺杂AlInGaN半导体层组、AlInGaN半导体多量子阱层、P型AlInGaN电子阻挡层、P型AlInGaN传输层和P型AlInGaN接触层；

其中，所述非掺杂AlInGaN半导体层组包括：至少两个非掺杂AlInGaN半导体层，每两个相邻的所述非掺杂AlInGaN半导体层之间设置有非掺杂AlInGaN半导体翘曲调节层，所述非掺杂AlInGaN半导体翘曲调节层的晶格常数小于所述非掺杂AlInGaN半导体层；非掺杂AlInGaN半导体翘曲调节层材料生长的温度比第一层的非掺杂AlInGaN半导体层材料温度低100～300度；

和/或，

所述N型掺杂AlInGaN半导体层组包括：至少两个N型掺杂AlInGaN半导体层，每两个相邻的所述N型掺杂AlInGaN半导体层之间设置有N型掺杂AlInGaN半导体翘曲调节层，所述N型掺杂AlInGaN半导体翘曲调节层的晶格常数小于所述N型掺杂AlInGaN半导体层，N型掺杂AlInGaN半导体翘曲调节层材料的生长温度比第一层的N型掺杂AlInGaN层材料温度低100～300度。

2.根据权利要求1所述的AlInGaN紫外发光器件，其特征在于，所述非掺杂AlInGaN半导体层的材料为：Al_x1In_y1Ga_1-x1-y1N，式中，x1和y1分别表示所述非掺杂AlInGaN半导体层的材料中Al和In的组分，0≤x1≤1，0≤y1≤1，0≤x1+y1≤1，所述非掺杂AlInGaN半导体翘曲调节层的材料为：Al_x2In_y2Ga_1-x2-y2N，式中，x2和y2分别表示非掺杂AlInGaN半导体翘曲调节层的材料中Al和In的组分，0≤x2≤1，0≤y2≤1，0≤x2+y2≤1，x1＜x2。

3.根据权利要求1所述的AlInGaN紫外发光器件，其特征在于，所述N型掺杂AlInGaN半导体层的材料为：N型掺杂浓度范围为1×10¹⁸cm^-3到1×10²⁰cm^-3的Al_x4In_y4Ga_1-x4-y4N，式中，x4和y4分别表示N型掺杂AlInGaN半导体层的材料中Al和In的组分，0≤x4≤1，0≤y4≤1，0≤x4+y4≤1，所述N型AlInGaN半导体翘曲调节层的材料为：N型掺杂浓度范围为1×10¹⁸cm^-3到1×10²⁰cm^-3的Al_x5In_y5Ga_1-x5-y5N，式中，x5和y5分别表示N型AlInGaN半导体翘曲调节层的材料中Al和In的组分，0≤x5≤1，0≤y5≤1，0≤x5+y5≤1，x4＜x5。

4.根据权利要求3所述的AlInGaN紫外发光器件，其特征在于，所述非掺杂AlInGaN半导体层组中最上层的非掺杂AlInGaN半导体层的材料为：Al_x3In_y3Ga_1-x3-y3N，式中，x3和y3分别表示所述非掺杂AlInGaN半导体层的材料中Al和In的组分，0≤x3≤1，0≤y3≤1，0≤x3+y3≤1，x5＜x3。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的AlInGaN紫外发光器件，其特征在于，所述非掺杂AlInGaN半导体翘曲调节层的生长温度低于所述非掺杂AlInGaN半导体层的生长温度。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的AlInGaN紫外发光器件，其特征在于，所述N型掺杂AlInGaN半导体翘曲调节层的生长温度低于所述N型掺杂AlInGaN半导体层的生长温度。