[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 202110861192.5 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN113611785B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 广木均典;林茂生;中岛健二;福久敏哉;政元启明;山田笃志 | 申请（专利权）人： | 新唐科技日本株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/40;H01L33/32;H01L33/00;B23K20/10 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置(1)具备：安装基板(20)；以及半导体元件(10)，隔着金属凸块(30)被配置在安装基板(20)，半导体元件(10)，具有半导体层叠结构(11)以及第1电极，安装基板(20)，具有第2电极，金属凸块(30)具有与半导体元件(10)的第1电极相接的第1层(31)、以及位于该第1电极的相反侧的第2层(32)，构成第1层(31)的结晶的平均结晶粒径，比构成第2层(32)的结晶的平均结晶粒径大，第2层(32)位于与半导体元件(10)的第1电极隔开的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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