[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，

所述半导体装置具备：

安装基板；以及

发光二极管芯片，隔着由金而成的金属凸块被配置在所述安装基板，

所述发光二极管芯片具有半导体层叠结构以及第1电极，所述半导体层叠结构具有基板、和从所述基板侧依次层叠的第1导电型半导体层、活性层以及第2导电型半导体层，所述第1电极与所述第2导电型半导体层相接配置，

所述安装基板，具有由陶瓷而成的基板和第2电极，

所述金属凸块具有与所述第1电极相接的第1层、以及位于所述第1电极的相反侧的第2层，

构成所述第1层的结晶的平均结晶粒径，比构成所述第2层的结晶的平均结晶粒径大，

所述第2层位于与所述第1电极隔开的位置，

在将截面图中晶向的差异以对比度的差异来表示的情况下，示出所述第1层中的单一的对比度的区域所占的比例大于示出所述第2层中的单一的对比度的区域所占的比例。

2.如权利要求1所述的半导体装置，

所述第1层的结晶与所述第2层的结晶相比，为更向水平方向扩张的形状。

3.如权利要求1所述的半导体装置，

在所述发光二极管芯片、所述安装基板以及所述金属凸块的与所述安装基板垂直的方向上的截面中，将所述金属凸块的截面面积设为S，将所述金属凸块的高度设为H时，与所述第1电极相接的所述第1层和所述第1电极的接合部即第1接合部的宽度，比S/H长。

4.如权利要求3所述的半导体装置，

所述第2层的宽度比所述S/H短。

5.如权利要求1所述的半导体装置，

所述第1电极包括金属膜，该金属膜与所述第2导电型半导体层相接配置，且对来自所述活性层的光进行反射。

6.如权利要求1所述的半导体装置，

所述第1层的厚度至少为1μm。

7.如权利要求1所述的半导体装置，

所述第1电极，由包含障壁电极的层叠结构来构成，所述障壁电极由Ti而成。

8.如权利要求1所述的半导体装置，

所述陶瓷是AlN的烧结体。

9.一种半导体装置，

所述半导体装置具备：

安装基板；以及

发光二极管芯片，隔着由金而成的金属凸块被配置在所述安装基板，

所述发光二极管芯片具有半导体层叠结构以及第1电极，所述半导体层叠结构具有基板、和从所述基板侧依次层叠的第1导电型半导体层、活性层以及第2导电型半导体层，所述第1电极与所述第2导电型半导体层相接配置，

所述安装基板，具有由陶瓷而成的基板和第2电极，

所述金属凸块具有与所述第1电极相接的第1层、以及位于所述第1电极的相反侧的第2层，

构成所述第1层的结晶的平均结晶粒径，比构成所述第2层的结晶的平均结晶粒径大，

所述第2层位于与所述第1电极隔开的位置，

在将所述第1层的水平方向的平均结晶粒径设定为r11、将所述第1层的高度方向的平均结晶粒径设定为r12、将所述第2层的水平方向的平均结晶粒径设定为r21、将所述第2层的高度方向的平均结晶粒径设定为r22时，满足r11r12、r21r22、r12/r11r22/r21的关系式。

10.如权利要求9所述的半导体装置，

所述第1层的结晶与所述第2层的结晶相比，为更向水平方向扩张的形状。

11.如权利要求9所述的半导体装置，

在所述发光二极管芯片、所述安装基板以及所述金属凸块的与所述安装基板垂直的方向上的截面中，将所述金属凸块的截面面积设为S，将所述金属凸块的高度设为H时，与所述第1电极相接的所述第1层和所述第1电极的接合部即第1接合部的宽度，比S/H长。