[发明专利]封装结构及其制造方法在审
申请号: | 202110858670.7 | 申请日: | 2021-07-28 |
公开(公告)号: | CN114068594A | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 张简上煜;徐宏欣 | 申请(专利权)人: | 力成科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 宋兴;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种封装结构及其制造方法,所述封装结构包括第一芯片、第二芯片、模封体、阻挡结构、透光片、导电连接件、线路层以及导电端子。第一芯片包括第一有源面。第一有源面具有感测区。第二芯片以其第二背面面向第一芯片的方式配置。模封体覆盖第二芯片。模封体具有第一模封面及第二模封面。阻挡结构位于第一模封面上且暴露出感测区。透光片位于阻挡结构上。导电连接件贯穿模封体。线路层位于第二模封面上。第一芯片经由导电连接件及线路层电连接第二芯片。导电端子配置于线路层上。 | ||
搜索关键词: | 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的