[发明专利]封装结构及其制造方法

说明书

本发明提供一种封装结构及其制造方法，所述封装结构包括第一芯片、第二芯片、模封体、阻挡结构、透光片、导电连接件、线路层以及导电端子。第一芯片包括第一有源面。第一有源面具有感测区。第二芯片以其第二背面面向第一芯片的方式配置。模封体覆盖第二芯片。模封体具有第一模封面及第二模封面。阻挡结构位于第一模封面上且暴露出感测区。透光片位于阻挡结构上。导电连接件贯穿模封体。线路层位于第二模封面上。第一芯片经由导电连接件及线路层电连接第二芯片。导电端子配置于线路层上。

技术领域

本发明涉及一种封装结构及其制造方法，尤其涉及一种集成多个芯片的封装结构及其制造方法。

背景技术

为了使得电子产品能达到轻薄短小的设计，半导体封装技术亦跟着日益进展，以发展出符合小体积、重量轻、高密度以及在市场上具有高竞争力等要求的产品。因此，如何集成多个芯片，以提升封装结构的效能，实已成重要的课题之一。

发明内容

本发明提供一种封装结构，其具有更好的质量。

本发明提供一种封装结构的制造方法，其具有更好的良率或较低的成本。

本发明的封装结构包括桥接芯片、硅穿孔芯片、第一模封体、第一有源芯片、第二有源芯片、第二模封体以及重布线路结构。第一模封体覆盖硅穿孔芯片及桥接芯片。第一有源芯片电连接于桥接芯片及硅穿孔芯片。第二有源芯片电连接于桥接芯片。第二模封体覆盖第一有源芯片及第二有源芯片。重布线路结构电连接于硅穿孔芯片。硅穿孔芯片位在第一有源芯片及重布线路结构之间。

本发明的封装结构的制造方法包括以下步骤。提供硅穿孔芯片及桥接芯片。形成覆盖硅穿孔芯片及桥接芯片的第一模封体。形成电连接于硅穿孔芯片的重布线路结构。配置电连接于桥接芯片及硅穿孔芯片的第一有源芯片。配置电连接于桥接芯片的第二有源芯片。形成覆盖第一有源芯片及第二有源芯片的第二模封体。在形成重布线路结构的步骤及配置第一有源芯片的步骤之后，硅穿孔芯片位在第一有源芯片及重布线路结构之间。

基于上述，本发明的封装结构可以集成(integrated)多个有源芯片。多个有源芯片之间可以通过桥接芯片彼此电连接，且有源芯片可以通过硅穿孔芯片与重布线路结构电连接。如此一来，可以提升封装结构的质量。并且，在封装结构的制造方法上，可以先将桥接芯片与硅穿孔芯片以第一模封体，再配置电连接至桥接芯片或硅穿孔芯片的有源芯片。如此一来，封装结构的制造良率可以提升，或可以使封装结构的制造成本降低

本发明提供一种封装结构及其制造方法，其可以具有较佳的效能。

本发明的封装结构包括第一芯片、第二芯片、模封体、阻挡结构、透光片、导电连接件、第一线路层以及导电端子。第一芯片包括第一有源面以及相对于第一有源面的第一背面。第一有源面具有感测区。第二芯片包括第二有源面以及相对于第二有源面的第二背面。第二芯片以其第二背面面向第一芯片的第一背面的方式配置。模封体覆盖第二芯片。模封体具有第一模封面及相对于第一模封面的第二模封面。阻挡结构位于第一模封面上且暴露出第一芯片的感测区。透光片位于阻挡结构上。导电连接件贯穿模封体。第一线路层位于第二模封面上。第一芯片经由导电连接件及第一线路层电连接第二芯片。导电端子配置于第一线路层上。

本发明的封装结构的制造方法包括以下步骤：提供晶圆，其包括有源面，其中有源面具有感测区；形成阻挡结构于晶圆的有源面上；配置透光片于阻挡结构上；对晶圆形成穿硅导通孔，且于晶圆相对于有源面的背面上形成电连接穿硅导通孔的线路层；形成覆盖穿硅导通孔的介电层；于介电层上形成导电连接件；于介电层上配置第二芯片；于介电层上形成覆盖第二芯片的模封体；于模封体上形成第一线路层，且第一芯片经由导电连接件及第一线路层电连接第二芯片；以及形成导电端子于第一线路层上。