[发明专利]稳压二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 202110856310.3 | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN113611606A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 令海阳 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/265;H01L29/866;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种稳压二极管及其制作方法，该方法包括：在外延层上形成薄膜层，外延层形成于衬底上；刻蚀去除除第一目标区域以外其它区域的薄膜层，剩余的薄膜层形成隔离结构，隔离结构用于在进行离子注入时进行阻挡；在隔离结构的一侧的第二目标区域进行离子注入形成第一重掺杂区；在隔离结构的另一侧的第三目标区域进行离子注入形成第二重掺杂区，第一重掺杂区和第二重掺杂区中包含的杂质类型不同，第一重掺杂区和所述外延层中包含的杂质类型相同。本申请通过在用于形成第一重掺杂区的第二目标区域和用于形成第二重掺杂区的第三目标区域之间形成隔离结构，从而能够阻挡由于工艺误差使离子注入至非目区域，提高了器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 稳压二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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