[发明专利]稳压二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 202110856310.3 | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN113611606A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 令海阳 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/265;H01L29/866;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 稳压二极管 及其 制作方法 | ||
1.一种稳压二极管的制作方法，其特征在于，包括：
在外延层上形成薄膜层，所述外延层形成于衬底上；
刻蚀去除除第一目标区域以外其它区域的薄膜层，剩余的薄膜层形成隔离结构，所述隔离结构用于在进行离子注入时进行阻挡；
在所述隔离结构的一侧的第二目标区域进行离子注入形成第一重掺杂区；
在所述隔离结构的另一侧的第三目标区域进行离子注入形成第二重掺杂区，所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区中包含的杂质类型不同，所述第一重掺杂区和所述外延层中包含的杂质类型相同。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜层包括多晶硅层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在外延层上形成薄膜层，包括：
通过CVD工艺在所述外延层上沉积多晶硅层，形成所述薄膜层。
4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述外延层中形成有高压阱区，所述高压阱区与所述第一重掺杂区中包含的杂质类型相同。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述高压阱区下方的衬底中形成有第一埋层，所述第一埋层与所述第一重掺杂区中包含的杂质类型不同。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述稳压二极管的有源区的周侧形成有环绕的STI结构。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述STI结构周侧的衬底中形成有隔离掺杂层，所述隔离掺杂层与所述第一重掺杂区中包含的杂质类型相同。
8.一种稳压二极管，其特征在于，所述稳压二极管通过如权利要求1至7任一所述的制作方法制作，所述稳压二极管包括：
衬底，所述衬底上形成有外延层，所述外延层中形成有第一重掺杂区和第二重掺杂区，所述外延层上形成有隔离结构，所述隔离结构形成于所述第一重掺杂区和第二重掺杂区之间；
其中，所述隔离结构用于在进行离子注入时进行阻挡。
9.根据权利要求8所述的稳压二极管，其特征在于，所述隔离结构包括多晶硅。
10.根据权利要求9所述的稳压二极管，其特征在于，所述外延层中形成有高压阱区，所述高压阱区与所述第一重掺杂区中包含的杂质类型相同。
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