[发明专利]半导体激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110855578.5 | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN113594846A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 翟鲲鹏;穆春元;李明;祝宁华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙蕾 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体激光器及其制备方法，其中，半导体激光器包括自下而上依次生长的N电极、N型衬底、N型下限制层、N型下波导层、有源区、P型上波导层、P型上限制层和P电极；其中，所述N型衬底包括预留空间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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