[发明专利]半导体激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110855578.5 | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN113594846A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 翟鲲鹏;穆春元;李明;祝宁华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙蕾 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体激光器，包括自下而上依次生长的N电极、N型衬底、N型下限制层、N型下波导层、有源区、P型上波导层、P型上限制层和P电极；其中，所述N型衬底包括预留空间。
2.根据权利要求1所述的激光器，其中，所述预留空间设置于所述有源区的正下方。
3.根据权利要求1所述的激光器，其中，所述预留空间中填充有电阻率低于衬底的电阻率的材料。
4.根据权利要求1所述的激光器，其中，所述预留空间的形状包括长方形和其他多边形其中至少之一。
5.根据权利要求1所述的激光器，其中，所述半导体激光器包括条形半导体激光器、脊型半导体激光器和掩埋异质结构型半导体激光器。
6.根据权利要求3所述的激光器，其中，所述预留空间中填充的材料包括硅脂。
7.一种半导体激光器的制备方法，包括：
制备包括预留空间的衬底；
基于所述包括预留空间的衬底制备所述半导体激光器。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，制备包括预留空间的衬底包括：
制备具有预定义形状的掩膜版；
基于所述掩膜版，利用光刻技术对衬底进行刻蚀，得到所述包括预留空间的衬底。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，制备包括预留空间的衬底包括：
利用等离子刻蚀技术对衬底进行刻蚀，得到所述包括预留空间的衬底。
10.根据权利要求7所述的方法，其中，基于所述包括预留空间的衬底制备所述半导体激光器包括：
基于所述包括预留空间的衬底，生长N电极、N型下限制层、N型下波导层、有源区、P型上波导层、P型上限制层和P电极，得到所述半导体激光器。
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