[发明专利]晶圆清洗及研磨方法在审
| 申请号： | 202110855386.4 | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN115674004A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 马姣 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/10 | 分类号： | B24B37/10;B24B37/04;B24B37/005;B24B49/16;H01L21/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 杜娟娟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆清洗及研磨方法，所述晶圆清洗方法包括：提供待清洗晶圆，所述待清洗晶圆包括自所述待清洗晶圆的中心至边缘依次向外辐射的中心区域、边缘区域及晶边区域；对所述待清洗晶圆进行预清洗，包括：提供研磨头，将所述研磨头置于所述晶边区域，并控制所述研磨头使用研磨液对所述晶边区域进行研磨；将所述研磨头置于所述边缘区域，并控制所述研磨头使用清洗液对所述边缘区域进行清扫。在进行主要CMP制程之前，对提供的待清洗晶圆进行预清洗处理，以去除晶圆晶边杂质颗粒，且不损伤晶圆上有效芯片，降低晶圆缺陷来源，提高晶圆良率，相较于光刻技术去除晶边杂质颗粒的方法，预清洗处理工艺简单，成本低，极大缩短DRAM生产周期。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 研磨 方法 | ||
【主权项】：
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