[发明专利]晶圆清洗及研磨方法

权利要求书

1.一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括：

提供待清洗晶圆，所述待清洗晶圆包括自所述待清洗晶圆的中心至边缘依次向外辐射的中心区域、边缘区域及晶边区域；

对所述待清洗晶圆进行预清洗，包括：

提供研磨头，将所述研磨头置于所述晶边区域，并控制所述研磨头使用研磨液对所述晶边区域进行研磨；

将所述研磨头置于所述边缘区域，并控制所述研磨头使用清洗液对所述边缘区域进行清扫。

2.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述晶边区域至所述待清洗晶圆的中心的距离大于或等于140mm；所述边缘区域至所述待清洗晶圆的中心的距离大于等于30mm且小于等于140mm。

3.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述研磨头于第一压力下使用研磨液对所述晶边区域进行研磨；所述研磨头于第二压力下使用清洗液对所述边缘区域进行清扫；其中，所述第二压力小于所述第一压力。

4.根据权利要求3所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述第一压力的范围为9磅-12磅，所述第二压力的范围为3磅-6磅。

5.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述清洗液包括去离子水或清洗剂。

6.根据权利要求5所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述清洗剂包括：碱性清洗剂、中性清洗剂及酸性清洗剂。

7.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述控制所述研磨头使用清洗液对所述边缘区域进行清扫包括：

控制所述研磨头于摆动状况下使用所述清洗液对所述边缘区域进行清扫。

8.根据权利要求7所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述研磨头于所述边缘区域的外边缘与所述边缘区域的内边缘之间往返摆动。

9.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述将所述研磨头置于所述边缘区域，并控制所述研磨头使用清洗液对所述边缘区域进行清扫之后还包括：

重复上述对所述待清洗晶圆进行预清洗的步骤至少一次。

10.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述对所述待清洗晶圆进行预清洗之后还包括：

对预清洗后的所述待清洗晶圆进行清洗。

11.根据权利要求10所述的晶圆清洗方法，其特征在于，使用去离子水对预清洗后的所述待清洗晶圆进行清洗。

12.根据权利要求1至10中任一项所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述对所述待清洗晶圆进行预清洗之前还包括：将所述待清洗晶圆置于研磨盘上，所述研磨盘转动以带动所述待清洗晶圆相对所述研磨头旋转；所述待清洗晶圆旋转的过程中所述研磨头对所述待清洗晶圆进行预清洗。

13.根据权利要求12所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述研磨头对所述待清洗晶圆进行预清洗的过程中旋转，且所述研磨头的旋转方向与所述待清洗晶圆的旋转方向相反。

14.一种晶圆研磨方法，其特征在于，包括：

采用如权利要求1至13中任一项所述的晶圆清洗方法对所述待清洗晶圆进行清洗；

控制所述研磨头使用所述研磨液对清洗后的晶圆进行研磨。

15.根据权利要求14所述的晶圆研磨方法，其特征在于，控制所述研磨头使用所述研磨液对清洗后的晶圆进行研磨包括：

将清洗后的所述晶圆置于研磨盘上，所述研磨盘转动以带动清洗后的所述晶圆相对所述研磨头旋转；

控制所述研磨头使用所述研磨液对清洗后的晶圆进行研磨。

16.根据权利要求15所述的晶圆研磨方法，其特征在于，所述研磨头对清洗后的所述晶圆进行研磨的过程中旋转，且所述研磨头的旋转方向与清洗后的所述晶圆的旋转方向相反。