[发明专利]一种生长高纯碳化硅单晶的方法及装置在审
| 申请号： | 202110849974.7 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN113550009A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 陈荣坤;李文勇;马敬军;田茗文 | 申请（专利权）人： | 河北天达晶阳半导体技术股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 陈志海 |
| 地址： | 054800 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种生长高纯碳化硅单晶的装置，包括：依次连接构成循环的单晶炉体、净化系统和循环系统；净化系统包括：溶剂吸附器；溶剂吸附器包括：水气吸附机构、氧气吸附机构和/或氮气吸附机构；循环系统能够使单晶炉体与净化系统进行气体交换。有益效果在于：在晶体生长之前，通过该装置，能够快速且有效的去除生长气氛中的氮、氧、水分等成分，从而制备出了氮含量低的高纯SiC单晶体，提高了碳化硅晶体生长过程中环境气氛的纯度，从而解决了晶体电阻率不稳等问题。与现有技术相比，具有装置结构简单、晶体生长环境稳定性高和晶体成品纯度高的特点。本发明还公开了一种应用于上述生长高纯碳化硅单晶的装置的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 高纯 碳化硅 方法 装置 | ||
【主权项】：
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