[发明专利]一种生长高纯碳化硅单晶的方法及装置在审
| 申请号： | 202110849974.7 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN113550009A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 陈荣坤;李文勇;马敬军;田茗文 | 申请（专利权）人： | 河北天达晶阳半导体技术股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 陈志海 |
| 地址： | 054800 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 生长 高纯 碳化硅 方法 装置 | ||
1.一种生长高纯碳化硅单晶的装置，其特征在于，包括：依次连接构成循环的单晶炉体(10)、净化系统(20)和循环系统(30)；
所述净化系统(20)包括：溶剂吸附器；所述溶剂吸附器包括：水气吸附机构、氧气吸附机构和/或氮气吸附机构；
所述循环系统(30)能够使所述单晶炉体(10)与所述净化系统(20)进行气体交换。
2.根据权利要求1所述的生长高纯碳化硅单晶的装置，其特征在于，所述溶剂吸附器包括：所述水气吸附机构；
所述水气吸附机构包括：分子筛(21)。
3.根据权利要求1所述的生长高纯碳化硅单晶的装置，其特征在于，所述溶剂吸附器包括：所述氧气吸附机构；
所述氧气吸附机构包括：铜触媒(22)。
4.根据权利要求1所述的生长高纯碳化硅单晶的装置，其特征在于，所述溶剂吸附器包括：所述氮气吸附机构；
所述氮气吸附机构包括：锆铝合金(23)。
5.根据权利要求1所述的生长高纯碳化硅单晶的装置，其特征在于，所述溶剂吸附器包括：所述水气吸附机构、所述氧气吸附机构和所述氮气吸附机构中的至少两种，且为并联或串联。
6.根据权利要求1所述的生长高纯碳化硅单晶的装置，其特征在于，所述溶剂吸附器包括：沿气体流动方向依次设置的所述水气吸附机构、所述氧气吸附机构和所述氮气吸附机构。
7.根据权利要求1所述的生长高纯碳化硅单晶的装置，其特征在于，所述溶剂吸附器还包括：用于为所述水气吸附机构、氧气吸附机构和/或氮气吸附机构脱附的加热装置。
8.根据权利要求1所述的生长高纯碳化硅单晶的装置，其特征在于，所述循环系统(30)包括：杂质分析仪和控制模块；
所述控制模块能够在所述杂质分析仪的杂质含量下降到预设指标时，停止所述单晶炉体(10)与所述净化系统(20)的气体交换，关闭所述净化系统(20)和所述循环系统(30)与所述单晶炉体(10)的通道。
9.根据权利要求8所述的生长高纯碳化硅单晶的装置，其特征在于，所述杂质分析仪包括：水分析仪、氧分析仪和/或氮分析仪。
10.一种生长高纯碳化硅单晶的方法，其特征在于，应用于如权利要求1-9任一项所述的生长高纯碳化硅单晶的装置，包括：
洗炉操作之后，打开净化系统(20)和循环系统(30)与单晶炉腔体(10)的通道，使得所述单晶炉腔体(10)内与所述净化系统(20)进行气体交换；
净化结束后，关闭净化系统(20)和循环系统(30)与单晶炉体(10)的通道。
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