[发明专利]一种多层膜结构、制备方法及应用在审
| 申请号： | 202110849491.7 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN113726306A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 罗景庭;郭峰;付琛;李红浪 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/64;H03H3/08 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 刘芙蓉 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多层膜结构、制备方法及应用，包括：碳化硅基底；氮化铝层，氮化铝层沉积在碳化硅基底的表面；IDT电极层，IDT电极层沉积在氮化铝层的表面；以及二氧化硅温度补偿层，二氧化硅温度补偿层沉积在IDT电极层的表面以及IDT电极层以外的氮化铝层的表面。通过在碳化硅基体的表面沉积氮化铝层，由于氮化铝层具有高声表面波速度，大的禁带宽度，高热导率，以及化学和温度稳定性良好等特性，使得该多层膜结构具备高频、高热稳定性以及能够适应在复杂环境下正常工作的优良性能。同时，由于构成基体的碳化硅的晶体晶格与构成氮化铝层的氮化铝的晶体晶格的匹配度较高(大于99％)，因此在碳化硅基体表面生长的氮化铝膜内应力较小，不易出现裂纹脱落。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 膜结构 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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