[发明专利]一种多层膜结构、制备方法及应用在审
| 申请号： | 202110849491.7 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN113726306A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 罗景庭;郭峰;付琛;李红浪 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/64;H03H3/08 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 刘芙蓉 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多层 膜结构 制备 方法 应用 | ||
1.一种多层膜结构，其特征在于，包括：
碳化硅基底；
氮化铝层，所述氮化铝层沉积在所述碳化硅基底的表面；以及
IDT电极层，所述IDT电极层沉积在所述氮化铝层的表面。
2.根据权利要求1所述的多层膜结构，其特征在于，所述多层膜结构还包括：
温度补偿层，所述温度补偿层沉积在所述IDT电极层的表面以及所述IDT电极层以外的所述氮化铝层的表面。
3.根据权利要求1所述的多层膜结构，其特征在于，所述碳化硅基底中的碳化硅的晶体结构为六方晶系。
4.根据权利要求1所述的多层膜结构，其特征在于，所述IDT电极层包括：
过渡层，所述过渡层沉积在所述氮化铝表面；以及
金属铝层，所述金属铝层沉积在所述过渡层表面。
5.根据权利要求4所述的多层膜结构，其特征在于，所述过渡层为金属钛层，所述金属钛层的厚度为2-6nm，所述钛金属层的表面粗糙度小于等于2nm。
6.根据权利要求5所述的多层膜结构，其特征在于，所述金属铝层的厚度为100-200nm，所述金属铝层的粗糙度小于等于2nm。
7.一种多层膜结构的制备方法，其特征在于，包括：
提供一碳化硅基底；
在所述碳化硅基底的表面外延生长一氮化铝层；
在所述氮化铝层的表面沉积一IDT电极层，得到所述多层膜结构。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述在所述碳化硅基底的表面外延生长一氮化铝层的步骤，具体包括：
将所述碳化硅基底置于真空反应腔室中以铝为靶材，采用磁控溅射法在所述碳化硅基底的表面外延生长一氮化铝层。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述在所述氮化铝层的表面沉积一IDT电极层的步骤，具体包括：
在所述氮化铝层的表面光刻出IDT电极图案；
采用电子束蒸镀法在所述IDT电极图案上生长出一钛金属层；
采用电子束蒸镀法在所述钛金属层的表面生长出一铝金属层，得到IDT电极层。
10.一种权利要求1-6任一所述的多层膜结构作为射频滤波器组成部件的应用。
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