[发明专利]位线结构、半导体结构及位线结构的制作方法有效
| 申请号： | 202110844690.9 | 申请日： | 2021-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN113571521B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 金星 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人： | 苗源 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供一种位线结构、半导体结构及位线结构的制作方法，所述位线结构设置于衬底，所述位线结构包括：接触部，其底面与所述衬底连接；阻挡层，其包括延伸部，所述延伸部覆盖所述接触部的顶面和外侧壁面；导电层，覆盖部分所述阻挡层。在本公开中，位线结构的阻挡层覆盖接触部的顶面和外侧壁面，阻挡层保护接触部的侧壁不被氧化，减小了位线的接触电阻，能够增加器件的读取速度。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 半导体 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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