[发明专利]一种特征尺寸在亚微米量级的柔性电子器件制造方法在审
| 申请号： | 202110841027.3 | 申请日： | 2021-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN113808921A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 刘晶;吴大昊 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，具体是涉及一种特征尺寸在亚微米量级的柔性电子器件的制造。其特征在于：利用传统光刻工艺设备实现柔性微纳器件的制造，具体包括作为基底材料的柔性聚合物，如聚酰亚胺(Polyimide，PI)，所述基底材料上通过光刻工艺沉积金属电极制备柔性衬底，所述柔性衬底作为微纳电子器件的载体，所述微纳电子器件通过电子束曝光工艺和金属蒸镀工艺制得金属电极作为源极与漏极的输入。本发明的有益效果是可以实现批量生产柔性微纳器件衬底，同时其在构建电极图形上具有较高的灵活性，对于器件复杂电学结构的搭建提供了很高的便捷性，适用范围更广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 特征 尺寸 微米 量级 柔性 电子器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
