[发明专利]一种高纯碳化硅原料的合成方法在审
| 申请号： | 202110830084.1 | 申请日： | 2021-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN113562733A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/984 | 分类号： | C01B32/984;C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 赵君 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市松北区智谷二街3*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种高纯碳化硅原料的合成方法，它属于碳化硅原料的合成方法。本发明要解决的技术问题为提高碳化硅原料的合成纯度。本发明用第一石墨件将石墨坩埚底部分成两个物料区，将硅粉、碳粉分别加入第一物料区、第二物料区中，然后再用第二石墨件密封第一物料区、第二物料区，将第一螺旋孔道的一端连接第二石墨件上的对应于第一物料区的通孔，第一螺旋孔道的另一端插入带孔石墨板，将第二螺旋孔道的一端连接第二石墨件上的对应于第二物料区的通孔，第二螺旋孔道的另一端插入带孔石墨板，旋紧石墨坩埚盖，得到装配好的坩埚，将装配好的坩埚放入中频感应加热炉中进行合成反应。本发明合成的高纯碳化硅原料的纯度为99.9999％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 碳化硅 原料 合成 方法 | ||
【主权项】：
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