[发明专利]一种高纯碳化硅原料的合成方法

权利要求书

1.一种高纯碳化硅原料的合成方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤1、用第一石墨件(3)将石墨坩埚(1)底部分成两个物料区，将硅粉、碳粉分别加入第一物料区(4)、第二物料区(5)中，然后再用第二石墨件(2)密封第一物料区(4)、第二物料区(5)；

步骤2、将第一螺旋孔道(9)的一端连接第二石墨件(2)上的对应于第一物料区(4)的通孔，第一螺旋孔道(9)的另一端插入带孔石墨板(6)，将第二螺旋孔道(7)的一端连接第二石墨件(2)上的对应于第二物料区(5)的通孔，第二螺旋孔道(7)的另一端插入带孔石墨板(6)，旋紧石墨坩埚盖(8)，得到装配好的坩埚，待用；

步骤3、将装配好的坩埚放入中频感应加热炉中，中频感应加热炉内抽真空到10^-4-10^-5mba，然后充入氩气升压至1000mba-1100mba，然后将中频感应加热炉炉温以9-20℃/min的升温速率提高至1800℃-2200℃，保持5-15h；

步骤4、将中频感应加热炉炉内温度降至室温，收集带孔石墨板(6)上合成的高纯碳化硅原料。

2.根据权利要求书所述的一种高纯碳化硅原料的合成方法，其特征在于：步骤1中硅粉的纯度为99.999％。

3.根据权利要求书所述的一种高纯碳化硅原料的合成方法，其特征在于：步骤1中碳粉的纯度为99.999％。

4.根据权利要求2或3所述的一种高纯碳化硅原料的合成方法，其特征在于：步骤2中第一螺旋孔道(9)的材质为高纯石墨，第一螺旋孔道(9)的孔径为5mm；第二螺旋孔道(7)的材质为高纯石墨，第二螺旋孔道(7)的孔径为5mm。

5.根据权利要求4所述的一种高纯碳化硅原料的合成方法，其特征在于：步骤2中第二石墨件(2)上的通孔直径为6mm。

6.根据权利要求5所述的一种高纯碳化硅原料的合成方法，其特征在于：步骤2中带孔石墨板(6)的孔径为6mm，带孔石墨板(6)的厚度为5mm。

7.根据权利要求6所述的一种高纯碳化硅原料的合成方法，其特征在于：步骤3中频感应加热炉内抽真空到10^-5mba，然后充入氩气升压至1100mba，然后将中频感应加热炉炉温以18℃/min的升温速率提高至1800℃，保持10h。

8.根据权利要求6所述的一种高纯碳化硅原料的合成方法，其特征在于：步骤4带孔石墨板上合成的高纯碳化硅原料的纯度为99.9999％。

9.根据权利要求8所述的一种高纯碳化硅原料的合成方法，其特征在于：步骤4带孔石墨板上合成的高纯碳化硅原料的粒径为200-300μm。