[发明专利]一种传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构在审
| 申请号： | 202110829412.6 | 申请日： | 2021-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN113690124A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 吴秀敏 | 申请（专利权）人： | 吴秀敏 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 510080 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构，其结构包括刻蚀腔、调节钮、排气管、弯管、送气管，刻蚀腔上连接有排气管和送气管，送气管之间设置有弯管，且连接有调节钮，弯管包括保护套筒、收缩套、助力组件、管体，管体连接在送气管上，且其内部连接有保护套筒，保护套筒上连接有收缩套，收缩套之间设置有助力组件，在助力组件上设置有集合装置和扭旋架，利用集合装置和扭旋架在滑轨内相配合，当气流沿弯管的径向呈发散状进入下一管体中，将会推动集合装置逐渐向下收拢，带动扭旋架转动来引导气流集中向下，控制气流内外圈流速大小，避免气流变动过大。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 传感器 单晶硅 刻蚀 装置 送气 机构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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