[发明专利]一种传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构在审
| 申请号: | 202110829412.6 | 申请日: | 2021-07-22 |
| 公开(公告)号: | CN113690124A | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
| 发明(设计)人: | 吴秀敏 | 申请(专利权)人: | 吴秀敏 |
| 主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 510080 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 传感器 单晶硅 刻蚀 装置 送气 机构 | ||
本发明公开了一种传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构,其结构包括刻蚀腔、调节钮、排气管、弯管、送气管,刻蚀腔上连接有排气管和送气管,送气管之间设置有弯管,且连接有调节钮,弯管包括保护套筒、收缩套、助力组件、管体,管体连接在送气管上,且其内部连接有保护套筒,保护套筒上连接有收缩套,收缩套之间设置有助力组件,在助力组件上设置有集合装置和扭旋架,利用集合装置和扭旋架在滑轨内相配合,当气流沿弯管的径向呈发散状进入下一管体中,将会推动集合装置逐渐向下收拢,带动扭旋架转动来引导气流集中向下,控制气流内外圈流速大小,避免气流变动过大。
技术领域
本发明涉及传感器领域,特别的,是一种传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构。
背景技术
传感器用单晶硅在加工过程中,均需对其进行刻蚀处理;现有的刻蚀加工过程中,其往往通过将多个单晶硅叠放在片架之上,并通过向片架所在位置导入反应气流,并使得反应气流在电场环境下产生等离子体,以对单晶硅进行刻蚀;现有的传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构通过管道进入刻蚀腔,当气流在途径管路中弯管时,其弯管管壁会产生相应的摩擦阻力,使得气流沿弯管的径向呈发散状进入下一管体中,以致于气流内外圈流速大小和流动方向被迫急剧地发生改变,造成流动分离形成漩涡区,产生较大的压力损失。
发明内容
针对上述问题,本发明提供一种传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构,其结构包括刻蚀腔、调节钮、排气管、弯管、送气管,所述刻蚀腔上连接有排气管和送气管,所述送气管之间设置有弯管,且连接有调节钮,所述弯管包括保护套筒、收缩套、助力组件、管体,所述管体连接在送气管上,且其内部连接有保护套筒,所述保护套筒上连接有收缩套,所述收缩套之间设置有助力组件。
作为本发明的进一步改进,所述助力组件包括对接环、集合装置、滑轨、扭旋架、滑轮,所述对接环通过集合装置间接配合在管体内,且其内圆周上连接有滑轨,所述滑轨上通过滑轮滚动配合有扭旋架。
作为本发明的进一步改进,所述对接环过渡配合在收缩套上,且收缩套具有一定的延展性,会在对接环内摆动扩展进行调节,使得对接环可以增加助力组件的稳定性。
作为本发明的进一步改进,所述集合装置包括固槽、对接扣、联结轴、分流片、引导件,所述固槽通过引导件过渡配合在管体上,且之间连接有联结轴,所述联结轴上连接有对接扣,所述对接扣上插嵌连接有分流片。
作为本发明的进一步改进,所述分流片活动卡合在滑轨内,间接配合在引导件之间,有效分开引导紊乱的气流,能够保持撑开连接的稳定环形形态,并且在受到压力能够在变形后稳定复位。
作为本发明的进一步改进,所述引导件包括顶扣、辅助划片、收拢叶、塑道,所述顶扣连接在固槽和管体之间,且上连接有辅助划片和收拢叶,所述收拢叶过渡配合在对接扣和接环上,且连接有塑道。
作为本发明的进一步改进,所述扭旋架包括装框、套环、衔接钮、松紧带、制圈件,所述装框连接在衔接钮上,且连接有松紧带,所述松紧带之间连接有套环,所述套环上间接配合有制圈件,所述衔接钮连接在滑轮上。
作为本发明的进一步改进,所述制圈件包括堆叠叶、磨合瓣、推把、连轴、承接托,所述堆叠叶上连接有推把和承接托,所述承接托连接在连轴上,所述连轴连接在装框上,且连接有磨合瓣。
有益效果
与现有技术相比,本发明的有益效果:
1、本发明在助力组件上设置有集合装置和扭旋架,利用集合装置和扭旋架在滑轨内相配合,当气流沿弯管的径向呈发散状进入下一管体中,将会推动集合装置逐渐向下收拢,带动扭旋架转动来引导气流集中向下,控制气流内外圈流速大小,避免气流变动过大。
2、本发明通过塑道为勺状结构,能够在任何形态下都方便回形,使得气流能够顺利的滑过,便于收拢叶顺利且流畅的承接到气流,保证收拢叶对气流集中的效果。
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