[发明专利]一种倒装结构深紫外发光二极管芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202110828169.6 | 申请日： | 2021-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN113410356A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 张向鹏;张晓娜;李勇强;薛建凯;郭凯;王雪 | 申请（专利权）人： | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/10;H01L33/38;H01L33/46;H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 郝亮 |
| 地址： | 047500 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种倒装结构深紫外发光二极管芯片及其制备方法，所述芯片包括LED外延片和设置在所述LED外延片上的n电极和p电极，所述LED外延片的最上层为p‑AlGaN层且所述p‑AlGaN层的表面被粗糙化，所述n电极的电极台面的倾角为40°‑50°，且所述p‑AlGaN层和所述n电极的电极台面上都设置有钝化层，所述钝化层上设有DBR‑1层和位于所述DBR‑1层上的DBR‑2层。其能够提高提高深紫外发光二极管芯片的光提取效率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 结构 深紫 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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