[发明专利]一种倒装结构深紫外发光二极管芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种倒装结构深紫外发光二极管芯片，其包括LED外延片和设置在所述LED外延片上的n电极和p电极，其特征在于，所述LED外延片的最上层为p-AlGaN层且所述p-AlGaN层的表面被粗糙化，所述n电极的电极台面的倾角为40°-50°，且所述p-AlGaN层和所述n电极的电极台面上都设置有钝化层，所述钝化层上设有DBR-1层和位于所述DBR-1层上的DBR-2层。

2.根据权利要求1所述的倒装结构深紫外发光二极管芯片，其特征在于，所述DBR-1层和DBR-2层均使用由两种不同的材料分别制成的薄膜交替叠加而成且所述DBR-1层的总厚度大于所述DBR-2层的总厚度，其中，所述材料包括氧化硅、氧化钛、硒化锌、氟化钇、氧化钽和氧化铪。

3.根据权利要求2所述的倒装结构深紫外发光二极管芯片，其特征在于，所述DBR-1层中的两种薄膜的单层厚度分别为35-50nm和56-85nm，两种薄膜交替叠加的总层数为13-17层，且所述DBR-1层的总厚度为850-950nm。

4.根据权利要求3所述的倒装结构深紫外发光二极管芯片，其特征在于，所述DBR-2层中的两种薄膜的单层厚度分别为30-35nm和40-60nm，两种薄膜交替叠加的总层数为13-17层，且所述DBR-2层的总厚度为500-700nm。

5.根据权利要求4所述的倒装结构深紫外发光二极管芯片，其特征在于，所述n电极和p电极上都设有PAD电极。

6.根据权利要求5所述的倒装结构深紫外发光二极管芯片，其特征在于，所述n电极、p电极和PAD电极均由Cr、Ni、Al、Ag、Au、Ti、Sn、Rh及Pt中的一种或者几种制成。

7.一种倒装结构深紫外发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)、提供最上层为p-AlGaN层的LED外延片；

(2)、在所述LED外延片上，对所述p-AlGaN层的表面进行粗化处理，使得所述p-AlGaN层的表面变得粗糙；

(3)、在所述LED外延片上，制备n电极的电极台面且使得所述n电极的电极台面的倾角为40°-50°；

(4)、在所述LED外延片的上层表面上沉积一层钝化层；

(5)、在所述LED外延片的钝化层的表面上沉积DBR-1层和DBR-2层；

(6)、在所述LED外延片上，刻蚀掉部分所述DBR-2层、DBR-1层和钝化层，形成两个电极窗口；

(7)、在所述两个电极窗口中分别制备n电极和p电极。

8.根据权利要求7所述的倒装结构深紫外发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中的粗化处理具体为：

a)、使用浓度为35-50％的氢氧化钠溶液在40-50℃条件下对所述p-AlGaN层进行腐蚀，腐蚀时间为10s-60s；

b)、使用刻蚀机对腐蚀后的所述p-AlGaN层的表面进行干法刻蚀，其中，刻蚀速率为刻蚀时间为5-20s，刻蚀深度为2-5nm；

c)、刻蚀后在氮气和氨气混合气体氛围下进行退火，其中，退火温度为800-1100℃、退火时间为10-30min，氮气和氨气的总流量为2SCCL，且氮气和氨气的流量比例为1：1、1：1.5或1.5：1。

9.根据权利要求8所述的倒装结构深紫外发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)中，通过物理沉积的方式在所述钝化层的表面上沉积DBR-1层和DBR-2层，所述DBR-1层和DBR-2层均使用由两种不同的材料分别制成的薄膜交替叠加而成且所述DBR-1层的总厚度大于所述DBR-2层的总厚度，其中，所述材料包括氧化硅、氧化钛、硒化锌、氟化钇、氧化钽和氧化铪。