[发明专利]一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202110828168.1 | 申请日： | 2021-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN113410360A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 张晓娜;张向鹏;李勇强 | 申请（专利权）人： | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 郝亮 |
| 地址： | 047500 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法，所述深紫外LED倒装芯片包括LED外延片和设置在所述LED外延片上的p电极和n电极，其特征在于，所述LED外延片包括p‑GaN层和n‑AlGaN层，所述p电极设置在所述p‑GaN层上，所述n电极设置在所述n‑AlGaN层上且所述n电极具有至少一个第一凹槽。其将n电极由传统的平面电极变为具有凹槽的特殊结构电极，能够增大n电极的覆盖面积，从而增加电子流扩散区域，极大地降低芯片的工作电压，增大芯片的散热面积，延长芯片的寿命；另外，光横向传播时，能够在凹槽两端来回震荡，与凹槽开口相匹配的波长的光能够得到增强，提高了芯片的发光强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 led 倒装 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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