[发明专利]一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种深紫外LED倒装芯片，其包括LED外延片和设置在所述LED外延片上的p电极和n电极，其特征在于，所述LED外延片包括p-GaN层和n-AlGaN层，所述p电极设置在所述p-GaN层上，所述n电极设置在所述n-AlGaN层上且所述n电极具有至少一个第一凹槽。

2.根据权利要求1所述的深紫外LED倒装芯片，其特征在于，所述n电极的厚度为250nm-350nm。

3.根据权利要求2所述的深紫外LED倒装芯片，其特征在于，所述第一凹槽的深度为400-600nm。

4.根据权利要求3所述的深紫外LED倒装芯片，其特征在于，相邻两个所述第一凹槽之间的间距为2.5-5.7um。

5.根据权利要求4所述的深紫外LED倒装芯片，其特征在于，所述第一凹槽为矩形凹槽、倒梯形凹槽、V字形凹槽、棱柱形凹槽或弧形凹槽。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的深紫外LED倒装芯片，其特征在于，所述第一凹槽的最宽处的宽度为1.5-4.3um。

7.根据权利要求6所述的深紫外LED倒装芯片，其特征在于，部分所述n-AlGaN层上设有至少一个第二凹槽，所述n电极均匀地设置在所述n-AlGaN层的具有所述至少一个第二凹槽的部分上。

8.根据权利要求7所述的深紫外LED倒装芯片，其特征在于，所述第二凹槽的深度为400-600nm，最宽处的宽度为2-5um，相邻两个所述第二凹槽的间距为2-5um。

9.一种深紫外LED倒装芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)、提供衬底并在所述衬底上依次形成氮化铝模板层、AlN/AlGaN超晶格应力缓冲层、n-AlGaN层、多量子阱结构层、p-AlGaN层和p-GaN层；

(2)、刻蚀掉部分所述P-GaN层、p-AlGaN层和多量子阱结构层并露出部分所述n-AlGaN层；

(3)、在所述n-AlGaN层的露出部分上刻蚀出至少一个第二凹槽；

(4)、在所述n-AlGaN层的具有所述至少一个第二凹槽的部分上蒸镀n电极，使得所述n电极具有与所述至少一个第二凹槽相对应的第一凹槽；

(5)、在所述p-GaN层上蒸镀p电极。

10.根据权利要求9所述的深紫外LED倒装芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中的刻蚀深度为600-800nm。