[发明专利]一种屏蔽栅沟槽型MOSFET结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202110822237.8 | 申请日： | 2021-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN113284953B | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 杨国江;于世珩;张胜凯;白宗伟 | 申请（专利权）人： | 江苏长晶科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京华讯知识产权代理事务所(普通合伙) 32413 | 代理人： | 刘小吉 |
| 地址： | 210000 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种屏蔽栅沟槽型MOSFET结构，包括：半导体衬底；外延半导体层，形成在所述半导体衬底之上；阱区，形成在所述外延半导体层之上；源区，形成在所述阱区内部；第一沟槽和第二沟槽，形成在所述外延半导体层、所述源区和所述阱区的内部；以及第二源极导电通道，形成在所述源区和所述阱区的内部，以及形成在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间；其中所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的最短距离定义了所述第二源极导电通道的最大宽度。本发明的MOSFET结构可以实现刻蚀的自对准，解决了在两个晶胞之间的间距太小的时候，现有的光刻机台不能满足所需的分辨率的技术问题；并且简化了MOSFET的制造工艺进而节省了制造时间和成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 屏蔽 沟槽 mosfet 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏长晶科技有限公司，未经江苏长晶科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110822237.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
